在半导体晶圆制造中，从芯片线路复刻到晶圆级封装，每一步都需依托高精度 “模板” 实现标准化生产，电
铸晶圆模板凭借纳米级成型工艺，成为支撑这一精密流程的核心 “骨架”，为 7nm 及以下先进制程提供关键保
障。
电铸晶圆模板的 “骨架” 价值，首先源于其纳米级成型工艺的独特优势。与传统蚀刻、机械加工相比，电铸
工艺通过金属离子精准沉积成型，能在晶圆模板表面复刻出纳米级精度的线路与结构。其核心流程是将设计好
的精密图案作为阴极，在电解液中通过电流驱动金属离子（如镍、铜）定向沉积，最终形成线宽误差≤50nm、
表面粗糙度≤1nm 的模板结构。这种工艺无需物理切削，可最大程度避免材质应力与边缘毛刺，让模板线路既
精细又稳定，为后续晶圆光刻、封装提供 “精准蓝图”。
作为晶圆制造的 “骨架”，电铸晶圆模板承担着两大核心作用。一是线路复刻的 “基准载体”：在晶圆光刻环节，
模板需将芯片设计图精准投射到晶圆基材上，其纳米级精度直接决定芯片线路的完整性 —— 电铸模板的高保
真特性，能确保每一片晶圆的线路复刻误差控制在行业标准内，避免因模板精度不足导致芯片功能失效。二是
量产一致性的 “稳定支撑”：先进制程下，晶圆需经过数十次光刻、蚀刻循环，电铸模板凭借耐磨损、抗腐蚀特
性，可反复使用数百次仍保持精度稳定，有效降低因模板损耗导致的晶圆报废率，保障批量生产的一致性。
如今，随着半导体芯片向 “更小、更密、更强” 发展，电铸晶圆模板的 “骨架” 作用愈发关键。在 7nm 及以下
先进制程中，芯片线路间距已逼近物理极限，传统模板难以满足精度需求，而电铸晶圆模板的纳米级成型工艺，
能适配超细线路复刻需求；在晶圆级封装环节，模板需同时兼容不同尺寸芯片的互联结构，电铸工艺可实现 “一
板多结构” 的精密成型，助力晶圆集成度提升。
从工艺精度到量产支撑，电铸晶圆模板以纳米级成型工艺构建起半导体晶圆制造的 “稳定骨架”，不仅推动芯
片制程持续突破，更成为高端半导体制造不可或缺的核心部件，为全球半导体产业的精密化发展注入关键动力。